Американская корпорация Intel объявила о "прорыве в эволюции
транзисторов". Впервые в массовом производстве вместо традиционных
планарных структур будут использоваться трехмерные. Новая разработка
позволяет создавать существенно более производительные и
энергоэффективные процессоры по сравнению с существующими аналогами.
Intel на сегодняшний день является единственным производителем
полупроводников, готовым к внедрению этой технологии в массовую
продукцию, сообщает РИА "Новости". О
начале разработке технологии трехмерных транзисторов Intel совместно с
компанией Texas Instruments объявила еще в 2006 году. Тогда
предполагалось, что новация найдет применение в серийной продукции к
2010 году. Теперь стало известно, что разработка, получившая
наименование 3-D Tri-Gate, будет впервые реализована в серийных
процессорах в конце 2011 года. На рынке они, скорее всего, появятся в
первом квартале 2012-го. Трехмерные транзисторы дебютируют в чипах
семейства Ivy Bridge, изготовляемых по 22-нанометровой технологии и
предназначенных для персональных компьютеров. В дальнейшем Intel
планирует использовать технологию для создания более экономичных и
производительных процессоров Intel Atom для мобильных устройств и
встроенных решений. По заявлению компании, внедрение 3-D Tri-Gate
повышает производительность процессора до 37% при одновременном переходе
с 32-нанометровых на 22-нанометровые топологические нормы (подобный
переход, сам по себе, также позволяет увеличить скорость работы чипа). Компания
пока не раскрывает детали новой технологии, отмечая лишь, что переход
от традиционной планарной к трехмерной структуре транзистора позволяет
при сохранении производительности уменьшить энергопотребление более чем
вдвое. Переход от традиционной планарной к трехмерной структуре
транзистора позволяет снизить сопротивление открытого логического
элемента, увеличить сопротивление в закрытом состоянии и помогает
быстрее переключаться между этими режимами. Соответственно, применение трехмерных транзисторов снижает рабочее напряжение чипа и уменьшает токи утечки. |