На IDF (Intel Developer Forum), проходящем в Сан-Франциско, Гордон
Мур, сооснователь Intel, отметил, что у ИТ-отрасли есть еще 10-15 лет,
прежде чем разработчики и производители столкнутся с чем-то поистине
значимым, фундаментальным и тогда действие закона Мура серьезно
замедлится или же полностью остановится. Мур, напомним,
экспериментальным путем вывел, что число компонентов на микросхемах
ежегодно удваивается, а производительность вырастает в два раза каждые
18 месяцев. С 70-х годов этот тезис подтверждается: хотя периодически и
кажется, что планка вот-вот будет достигнута, гиганты полупроводниковой
индустрии изыскивают все новые способы, модернизируют и оттачивают
прежние и внедряют передовые техпроцессы. Мур утверждает, что так
будет не всегда. Проблема, как ни парадоксально, кроется в
эффективности полупроводникового производства, которая была достигнута
за прошедшее время. Структуры внутри чипов за это время настолько
уменьшились, что продолжать в том же духе уже просто не получится. Так,
к примеру, слой изоляционного материала, используемого в современных
процессорах, практически достиг своего минимума и составляет всего
несколько молекул. Мур отмечает здесь простую истину, что сделать этот
слой тоньше, чем в одну молекулу, будет просто невозможно, передает iXBT. Несколько
лет назад физик Стивен Хокинг предрек, что индустрию будет сдерживать
два основополагающих фактора: скорость света и атомарная природа
вещества. На что Мур еще тогда ответил, что "мы уже недалеки от этого",
намекая на приближение к технологическим пределам. По закону Мура
удвоение числа транзисторов в процессорах происходило в течение каждых
двух лет. Это достигалось путем уменьшения их размера, что удешевляло
производство и делало чипы более эффективными как по
производительности, так и по энергоэффективности, но закон должен
"упереться в стену" где-то в 2020-х годах, как считает его основатель
на основе проведенных исследований и наметившихся тенденций развития
отрасли. Тем не менее, продлить срок действия закона можно будет путем
перехода к так называемым 3D-чипам, в которых транзисторы нагромождены
один на другой.
|
